Toshiba заложила новый завод по производству небольших ЖК-дисплеев
Низкотемпературная поликремниевая технология LTPS
Низкотемпературная поликремниевая технология (Low-Temperature Polycrystalline Silicon, LTPS) — метод изготовления тонкоплёночных транзисторов для жидкокристаллических дисплеев. В отличие от традиционных матриц на аморфном кремнии (a-Si), где транзисторы формируются из неупорядоченного кремниевого слоя, LTPS предполагает кристаллизацию кремния с помощью лазерного отжига при относительно низких температурах — до 600 градусов Цельсия. Получаемая поликристаллическая структура обладает подвижностью электронов в сотни раз выше, чем у аморфного кремния.
Высокая подвижность носителей заряда позволяет делать транзисторы значительно меньшего размера. Это даёт два ключевых преимущества. Во-первых, уменьшается площадь непрозрачной управляющей электроники на каждом субпикселе, что повышает апертуру — долю площади, пропускающей свет, — и снижает энергопотребление подсветки. Во-вторых, появляется возможность разместить часть схем управления прямо на стеклянной подложке дисплея, сокращая число внешних драйверов и ширину рамки вокруг экрана.
Для небольших экранов с высокой плотностью пикселей, характерных для смартфонов, технология LTPS была на момент заметки предпочтительнее аморфного кремния. Она позволяла достигать разрешений порядка 300 пикселей на дюйм и выше без чрезмерного усложнения конструкции. Ограничением метода оставалась более высокая стоимость производства по сравнению с a-Si и сложность масштабирования на большие диагонали из-за дороговизны лазерного оборудования и требований к однородности кристаллизации.
